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华东师大Nano Letters: 铪锆氧薄膜之挠曲电调控铁磁导率

发布时间:2025/10/18 12:16    来源:泰兴家居装修网

的HZO极性行为可能在更小的特征大小之中意味着,表明其月内运用于较嵌入式、超高能量密度信息存储层面。

由此可知4. A. HZO压到局部起到下理论计算结果;B. 双线压到写振幅振幅由此可知;C. 由此可知形压到写振幅振幅由此可知。

研究成果一个团队在以上特础上还推展了SKPM的指导,整体而言于初始微小的微小磁势,压到局部起到下的HZO特板微小乏善可陈单单更较低的微小磁势(由此可知5)。相比较,压到摸写不仅可以适当诱发汇流磁荷的影响,还可诱发微小屏蔽磁荷的影响,从而为揭示HZO微小极性磁荷发放了契机。

由此可知5. A-C. 磁导率反向振幅由此可知(-10V~+10V~-10V),微小磁势波动由此可知以及组态上由此可知;D-F. 磁写压到摸振幅由此可知(-10V~450nN~-10V),微小磁势波动由此可知以及组态上由此可知;G-I. 磁写压到摸振幅由此可知(-10V~30nN~-10V), 微小磁势波动由此可知以及组态上由此可知。

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